Siliziumcarbid

Artikel-Nr. 469 D.1
Synthetisches Material, kommt in der Härtereihe nach dem Diamant. In Glasuren: Reduktionsmittel. Um die Reduktion im oxidierenden Brand zu erreichen, kann man 0,3-1% SiC Staub in die Reduktionsglasur geben. Bei den hohen Brenntemperaturen entzieht das Siliziumcarbid den Sauerstoff aus den
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Beschreibung
Synthetisches Material, kommt in der Härtereihe nach dem Diamant.

In Glasuren: Reduktionsmittel. Um die Reduktion im oxidierenden Brand zu erreichen, kann man 0,3-1% SiC Staub in die Reduktionsglasur geben. Bei den hohen Brenntemperaturen entzieht das Siliziumcarbid den Sauerstoff aus den Oxidzusätzen, so dass die Glasur während des Brennens reduziert wird. Richtige Zugabe, Brenntemperatur und Brenndauer sind durch Versuche festzustellen.
In Massen: Dient zur Herstellung von Brennhilfsmitteln (Ofenplatten, Kapseln usw.), in der Elektrokeramik für elektrische Widerstände. Einsetzplatten aus SiC unterstützen das reduzierende Brennen.
Chemische Angaben
Nähere Bezeichnung: Karborundum
Keramische Formel: SiC                                  
Molekulargewicht: 40
Schmelzbereich: ab 1600°C

Analyse
Si: 70 %
C: 30 %
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